在等离子体蚀刻工艺中，也称为干蚀刻，使用等离子体或蚀刻气体来去除衬底材料，干蚀刻会产生气态产物，这些产物应扩散到大量气体中并通过真空系统排出，干蚀刻有三种类型（例如等离子蚀刻）：化学反应（通过使用反应性等离子体或气体），物理去除（通常通过动量传递）以及化学反应和物理去除的组合，干蚀刻：利用不易被物理、化学作用破坏的物质光阻来阻挡不欲去除的部分，利用电浆的离子轰击效应和化学反应去掉想去除的部分，从而将所需要的线路图形留在玻璃基板上。
另一方面，湿蚀刻仅是化学过程，干蚀刻等向性蚀刻与异向性蚀刻同时存在，湿蚀刻：利用化学药液将需要蚀刻掉的物质蚀刻掉，湿蚀刻为等向性蚀刻，湿蚀刻机台便宜，蚀刻速度快，但难以jing确控制线宽和获得极其精细的图形并且需要大量用水，污染大；干蚀刻机台价格昂贵，蚀刻速度速度慢，但可以jing确控制线宽能获得极其精细的图形，而且不需要用水，污染小，蚀刻工艺是一项工业应用，涉及到我们生活中的全方面应用，在工业制造中是不可缺少的中间工艺，其应用领域紧密的以我们生活中的“吃、穿、住、行”为主要应用，无论是行业应用，或者是生活生产，蚀刻工艺是不可取代，且不可缺失的。
现在可以对涂覆的晶片进行湿法蚀刻以将所需的图案雕刻到晶片中，各向同性蚀刻，即在所有方向上均相等的蚀刻，是指基材的方向不影响蚀刻剂去除材料的方式，如果允许蚀刻剂反应足够长的时间，如图1所示，蚀刻剂将蚀刻掉称为掩模底切的掩模下的基板材料，可以通过在底切掩模前先冲洗掉蚀刻剂，然后在通道上施加光刻胶来避免这种情况，加工出来的产品没有毛刺，没有脏污，表面更是光滑，蚀刻加工是其他机械的工艺都无法加工的高精密产品。
